Atomically precise semiconductor-graphene and hBN interfaces by Ge intercalation

Autor(en)

N. I. Verbitskiy, A. V. Fedorov, G. Profeta, A. Stroppa, L. Petaccia, B. Senkovskiy, A. Nefedov, C. Wöll, D. Y. Usachov, D. V. Vyalikh, L. V. Yashina, A. A. Eliseev, Thomas Pichler, A. Grüneis

Organisation(en)

Elektronische Materialeigenschaften

Externe Organisation(en)

Universität zu Köln, Lomonosov Moscow State University (MSU), Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden, Saint Petersburg State University, Università degli Studi dell’Aquila, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Elettra Sincrotrone Trieste, Technische Universität Dresden, Karlsruher Institut für Technologie, Ikerbasque Basque Foundation for Science, Donostia International Physics Centre (DIPC), University of the Basque Country, JSC Giredmet SRC RF

Journal

Scientific Reports

Band

5

Anzahl der Seiten

9

ISSN

2045-2322

DOI

https://doi.org/10.1038/srep17700

Publikationsdatum

12-2015

Peer-reviewed

Ja

ÖFOS 2012

103018 Materialphysik

ASJC Scopus Sachgebiete

General

Link zum Portal

https://ucrisportal.univie.ac.at/de/publications/c2bd1599-5fcf-4480-b425-32aa1ac83993