Optimization of preparation of epitaxial β-SiC layers formed by fullerene-carbonization of silicon

Autor(en)

M. Philipp, M. Fünffinger, S. Henke, W. Göb, W. Lang, H. Kuzmany, B. Rauschenbach, B. Stritzker

Organisation(en)

Elektronische Materialeigenschaften

Seiten

600-604

Anzahl der Seiten

5

Publikationsdatum

1996

ÖFOS 2012

103018 Materialphysik

Link zum Portal

https://ucrisportal.univie.ac.at/de/publications/1a0e674c-2fcb-4917-8b20-838c7831bd17