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Vanishing influence of the band gap on the charge exchange of slow highly charged ions in freestanding single-layer MoS<sub>2</sub>

Autor(en)
S. Creutzburg, J. Schwestka, A. Niggas, H. Inani, M. Tripathi, A. George, R. Heller, R. Kozubek, L. Madauss, N. McEvoy, S. Facsko, J. Kotakoski, M. Schleberger, A. Turchanin, P. L. Grande, F. Aumayr, R. A. Wilhelm
Organisation(en)
Physik Nanostrukturierter Materialien
Externe Organisation(en)
Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Technische Universität Dresden, Technische Universität Wien, Friedrich-Schiller-Universität Jena, Universität Duisburg-Essen, University of Dublin, Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Journal
Physical Review B
Band
102
Anzahl der Seiten
8
ISSN
2469-9950
DOI
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.102.045408
Publikationsdatum
07-2020
Peer-reviewed
Ja
ÖFOS 2012
103015 Kondensierte Materie, 103018 Materialphysik
Schlagwörter
ASJC Scopus Sachgebiete
Electronic, Optical and Magnetic Materials, Condensed Matter Physics
Link zum Portal
https://ucrisportal.univie.ac.at/de/publications/089161d9-dd88-48a3-b267-13e883f3a2e5